三元混晶双势垒结构中光学声子辅助共振隧穿及压力效应

摘要：

采用连续介电模型,细致探讨了AlxGa1-xAs/GaAs双势垒结构中界面声子的色散关系及其与电子的耦合作用.进而采用Fermi黄金法则,在该结构的垒或阱为三元混晶材料时,分别计算了声子辅助隧穿电流密度.结果表明,在宽阱情形下,若垒为混晶材料,混晶效应不明显,只有一个明显的声子峰,该结论与实验符合较好；若阱为混晶材料,则混晶效应明显,具有两个声子峰,该结论对实验有指导意义.本文还讨论了压力对声子辅助共振隧穿的影响,结果显示:声子辅助隧穿峰和共振峰的峰值均随压力增加而减小,但声子辅助隧穿效应则随压力增加.

关键词：三元混晶、双势垒、电声子相互作用、声子辅助共振隧穿、压力

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资助基金：国家自然科学基金60966001;内蒙古自治区自然科学基金重点项目20080404Zd02;高等学校博士学科点专项科研基金20070126001

在线出版日期：2013-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：369-376