基于转移矩阵法确定高κ介质中泄漏电流共振隧穿机制的存在性

摘要：

栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高κ栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高κ介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高κ栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力学的转移矩阵方法,计算沟道电子通过高κ栅栈结构的透射系数,模拟得到的透射系数曲线随电子能量变化呈现峰谷振荡的特征.将本文模拟结果与非平衡格林函数及WKB近似方法模拟结果对比,通过论证得出电子能量低于高κ导带底的透射系数峰为共振隧穿机制所产生,而能量高于高κ介质导带底的电子透射系数峰为直接隧穿的结论.

关键词：高κ介质、MOSFET、栅电流、共振隧穿

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资助基金：国家自然科学基金资助项目批准号61076101

在线出版日期：2013-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：327-332