二维混沌哈密顿体系的逃逸率
研究二维混沌哈密顿体系的逃逸率在逃逸阈值附近的规律.对Hénon-Heiles系统添加一个势垒,通过改变势垒的位置、宽度、高度等参数可以产生一系列混沌体系.对这些体系的逃逸率随体系能量变化的解析公式和数值计算提取的结果一致,并可以用参数化公示表达.在阈值附近,这些体系的逃逸率随能量的增加总是呈现线性关系.结果提供了进一步的证据,证明有光滑开口的二维保守混沌体系的逃逸率随能量线性增加可能是普适结论.
混沌、逃逸率、庞加莱截面、数值模拟
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O343(固体力学)
国家自然科学基金10804066;11074260;山西省自然科学基金2009011004;山西省高等学校优秀青年学术带头人支持计划资助项目
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
127-133