单轴应力锗能带结构研究

摘要：

用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(Γ能谷、△能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带κ·ρ微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.

关键词：单轴应力锗、能带结构、κ·ρ微扰法

所属期刊栏目：42

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家部委资助项目61398;51308040106;9140C090303110C0904;陕西省自然科学基础研究计划2010JQ8008

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：15-21