CdSxSe1-x量子点异常的变温光致发光谱特性研究
采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制各出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300 K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200 K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10 K升至300 K时,带隙能红移61.34 meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9∶0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为∶α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
CdSxSe1-x、量子点、变温PL谱
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O4(物理学)
国家自然科学基金50532080;辽宁省教育厅重点实验室资助项目20060131;高等学校博士专项科研基金20070141038
2011-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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