GaInP薄膜的金属有机化学气相沉积生长动力学多尺度模拟
Ⅲ-Ⅴ族化合物GaInP是一种高效发光材料.金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术能均匀生长多结、多层和大面积的薄膜材料,是一种非常有效的方法.通过分别运用计算流体力学、动力学蒙特卡罗方法与虚拟现实技术相结合,提出了一个研究垂直MOCVD反应器的GaInP薄膜生长过程的流体动力学、热力学和分子动力学多尺度模拟方法.可视化结果不仅准确和直观的显示了MOCVD反应器里的气体热流场分布情况,而且展示了MOCVD反应器中的GaInP薄膜生长过程.因此,该模拟为我们优化GaInP的MOCVD生长提供了一个重要指导.
金属有机化学气相沉积、计算流体力学、动力学蒙特卡罗、虚拟现实、多尺度模拟、GaInP薄膜生长
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O4(物理学)
国家自然科学基金60706014;国家杰出青年科学基金60625302;国家自然科学基金面上项目基金2009CZB320603;国家高技术研究发展计划2009AA042159;上海市重点学科建设项目基金B504
2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
1105-1114
