太阳能电池用低掺杂率多晶硅薄膜的制备
通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum.Induced Crystallization,AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2x10(18) cm(-3)),不适宜作为薄膜太阳能电池的吸收层.我们提出了QCGE AIC法,即:硅原子的快速扩散;冷却成核;晶粒的慢速生长;铝原子的向外扩散,通过精确控制AIC过程中退火温度及模式制备了掺杂率为2x10(16) cm(-3)的高品质多晶硅薄膜.二次离子质谱(Secondary-Ion-mass Spectroscopy,SIMS)结果表明:制备多晶硅薄膜中铝残留浓度依赖于退火的温度模式;霍尔效应测试结果表明:制备多晶硅薄膜的掺杂率依赖于退火的温度和退火模式;拉曼光谱表明:通过QCGEAIC制备的多晶硅薄膜中包含有少量由小颗粒硅组成的区域.
太阳能电池、多晶硅薄膜、低掺杂浓度、铝诱导晶化
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TM91
2011-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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