Cs-Mg-H合金的形成能力与成键机制研究
采用基于密度泛函理论第一性原理的Vienna Ab initio Simulation Package(VASP)软件研究了CsMgH3,Cs4Mg3H(10)和Cs2MgH4氢化物的晶体结构、反应焓和电子结构.结果表明CsMgH3,Cs4Mg3H(10)和Cs2MgH4都能直接由单质Cs和Mg在H2中反应生成,其中Cs4Mg3H(10)的形成能力最强;态密度和电荷密度的分析与讨论表明了Mg和H的成键机制为离子键伴随着显著的共价键,
第一性原理计算、Cs-Mg-H、反应焓、态密度、电荷密度、形成能力、成键机制
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O6(化学)
湖南省教育厅优秀青年项目基金09B021
2011-05-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
213-218