铁磁/有机/绝缘/铁磁多层膜的隧道磁电阻研究

摘要：

基于Slonczewski的自由电子近似理论,利用转移矩阵的方法计算了铁磁层/有机层/绝缘层/铁磁层磁性多层结构的隧穿磁电阻(tunneling magnetic resistance,TMR).保持有机层的厚度以及绝缘层的势垒高度不变,分别计算了在同一个有机层势垒高度且不同的自旋过滤因子β下的TMR随绝缘层厚度的变化;同时,还研究了在有机层和绝缘层的厚度不变,不同的β下,TMR随有机层势垒U的变化.结果表明,选取适当的β和绝缘层厚度能够获得大的TMR值;TMR随有机层势垒U的增加而增大.我们的计算结果对有机自旋注入、输运以及设计新的有机自旋电子器件的研究有一定的指导意义.

关键词：铁磁体、有机体、绝缘层、隧穿磁电阻(TMR)

所属期刊栏目：39

分类号：O4(物理学)

资助基金：贵州省科技厅应用基础研究项目黔科通J合[2006]2004;四川省教育厅自然科学重点项目07ZA095

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1634-1639