采用高分辨XRD确定Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结的应变状态

摘要：

利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的Al_xGa_(1-x)N/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得Al_xGa_(1-x)N外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的Al_xGa_(1-x)N在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下Al组分的计算方程式,得出完全应变情况下Al组分为30%,与卢瑟福背散射实验结果比较符合.

关键词：高分辨X射线衍射、倒易空间图、应变、弛豫

所属期刊栏目：39

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB6049;国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A118;2006AA03A142;国家自然科学基金60721063;60676057;60731160628;60776001;60820106003;江苏省自然科学基金BK2008019;南京大学扬州光电研究院研发基金

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1623-1627