Pt-ZnO纳米肖特基接触的电学特性

摘要：

我们研究了Pt-ZnO纳米肖特基接触的电学特性.采用二步湿化学法制备高取向的ZnO纳米棒阵列,在原子力显微镜下将镀Pt导电探针施加在ZnO纳米棒的端面,形成Pt-ZnO纳米接触.I-V特性曲线表明Pt-ZnO纳米接触形成肖特基二极管,具有明显的整流效应,理想因子为3.2,反向击穿电压高于-10 V.分析指出,施加偏压后在Pt-ZnO纳米接触点附近的ZnO半导体内形成较高电场,导致势垒厚度减小,使电子从ZnO到Pt的隧穿概率增大,因而具有较高的理想因子.

关键词：ZnO纳米棒、尚特基接触、理想因子

所属期刊栏目：39

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2009AA01Z114

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1619-1622