Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算

摘要：

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru_2Si_3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru_2Si_3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51 eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε_1(0)=16.83;折射率,n_o=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×10~5cm~(-1);并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru_2Si_3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru_2Si_3光电材料的设计与应用提供了理论依据.

关键词：Ru_2Si_3、第一性原理、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：39

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60566001;60766002;州省优秀科技教育人才省长专项基金Z053114;贵州省委组织部高层人才科研项目Z053123

在线出版日期：2010-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1431-1438