掺杂对涂层超导体CeO2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算
采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E*的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E*和系统电子数增量△ne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.
CeO2、第一性原理、薄膜临界厚度、弹性常数
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O4(物理学)
西南交通大学青年教师科研起步项目2007Q017;国家自然科学基金50588201;10874142;国家重点基础研究发展规划973计划2007CB616906
2009-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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