磷掺杂对单壁碳纳米管电子结构的影响

摘要：

用基于密度泛函理论的第一性原理对掺P的单壁碳纳米管(SWCNT)进行以下方面的计算:几何形状结构和电子能带结构,杂质的形成能、总能量、态密度和能带结构.得出在不同管径的P掺杂SWCNT中,杂质的形成能随着管径的增大而增大,相同管径的SWCNT的总能量随着掺杂浓度的增大而减小,不同位置杂质P和它附近的C所形成的键角不同,进一步得到不同位置杂质产生的杂质能级的位置也不同,这可能由C-P-C键角的大小决定.从结果中还得到P原子以替位式掺杂形式掺入到碳纳米管中是可行的,而且掺P的SWCNT导电呈现出N型.

关键词：单壁碳纳米管、P掺杂、第一性原理计算、形成能、态密度

所属期刊栏目：39

分类号：O4(物理学)

资助基金：福建省自然科学基金A0220001

在线出版日期：2009-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：681-687