有机发光器件中的塞曼分裂和三重态激子的湮灭
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有机发光器件中的塞曼分裂和三重态激子的湮灭

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制备了结构为ITO/α-NPD/Alq3/LiF/Al的常规有机发光二极管,并在12,150,200K和室温4种温度下,测量了该器件的电流与电致发光两者的磁场效应.发现在不同温度下,磁场均能显著改变器件的电流和电致发光.在低温(如12~150 K)下,电致发光的磁场效应与器件的偏压(对应一定大小的注入电流)有很强的依赖关系,即高偏压时,发光呈现先随磁场增加而快速增强,在50 mT处达到最大值后却又随磁场增加而减弱,且偏压越大该减弱越明显,而小偏压时则没有出现饱和之后又衰减的现象.具有相同电流密度的高温(如200 K到室温)情况时,各种偏压下也没有发现发光随磁场增加而减弱的趋势.电流的磁效应则在所有温度和所有偏压下都表现为随着磁场增加而增大,并在一定磁场后趋于饱和.此现象可归结为磁场抑制了单重态极化子对到三重态极化子对的系间窜越和磁场减弱了三重态激子对(triplet-triplet pairs)间相互淬灭过程的结果.

有机发光二极管、磁场效应、极化子对、三重态激子

39

O4(物理学)

国家自然科学基金10504027;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-05-0772;霍英东教育基金会资助项目101006;教育部留学回国人员科研启动基金教外司留[2007]1108号;人事部留学人员科技活动基金

2009-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

662-668

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中国科学G辑

1672-1780

11-5001/N

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2009,39(5)

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