自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列
采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP(100)衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列.扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向.X射线衍射测试在34.46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有(002)择优取向.PL谱在380 nm出现强的近带边发射峰,在495 nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质.本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用.
氧化锌、纳米棒阵列、缓冲层、自催化、脉冲激光沉积
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O4(物理学)
国家自然科学基金50532080;辽宁省教育厅重点实验室基金20060131;高等学校博士专项科研基金20070141038
2009-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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