BaSi2 电子结构及光学性质的第一性原理计算
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.086 eV;其价带主要是由Si的3s,3p及Ba的5d态电子构成,导带主要由Ba的6s,5d及Si的3p态电子构成;静态介电函数ε1(0)=11.17;折射率,n0=3.35;吸收系数最大峰值为2.15×105 cm-1.
BaSi2、第一性原理、电子结构、光学性质
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O4(物理学)
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2009-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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260-266
