CrSi2 电子结构及光学性质的第一性原理计算
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构,态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2 属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353 eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了Crsi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等.经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好.
CrSi2、电子结构、光学性质、第一性原理
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O4(物理学)
国家自然科学基金60566001;60766002;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20050657003;贵州省优秀科技教育人才省长专项基金;教育部留学同国科研基金教外司2005383;贵州省教育厅重点基金05JJ002;贵州省留学人员科技项目黔人项目200403;省委组织部高层次人才科研资助项目
2009-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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175-180
