后摩尔时代的基于一维纳米材料的CMOS技术
基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型(空穴型)场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应的硅基场效应晶体管.最近北京大学研究组关于高性能室温弹道n型(电子型)碳纳米管场效应晶体管的研究为基于碳纳米管的CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)技术的腾飞装上了另一个翅膀.特别是这种技术无需掺杂,加上碳纳米管特殊的几何和电子结构使得基于碳纳米管的CMOS技术有望突破传统微电子工艺所面临的一些根本性的困难,为下一步实现基于碳纳米管的纳电子电路的规模集成奠定了基础.
纳米CMOS技术、碳纳米管、纳米器件
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TB3(工程材料学)
国家自然科学基金10434010;90606026和60571002;国家重点基础研究发展规划973计划2006CB932400;国家纳米科学中心资助项目
2009-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
1488-1495
