含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究

摘要：

通过测量过渡金属元素(Ti,V,Cu)以及TiAl基合金(Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2)的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息.结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强.二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48Cu2合金.

关键词：TiAl合金、3d电子、缺陷、正电子湮没

所属期刊栏目：38

分类号：TG1(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金50361002;广西科学研究与技术开发计划项目0480004;广西大学科学技术研究重点项目2003ZD04

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1016-1022