Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算

摘要：

采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0-2994 eV;其价带主要由Si的3p以及Mg的3s,3p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p以及si的3p态电子构成;静态介电常数ε1(0)=18.89;折射率n0=4.3460;吸收系数最大峰值为356474.5 cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据.

关键词：Mg2Si、第一性原理、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：38

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60566001;贵州市科学技术局大学生创业科技项目;贵州省研究生创新基金省研理工2007003

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：825-833