10.3969/j.issn.1674-7275.2007.04.006
PED沉积Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜过程中影响超导电性因素分析
采用脉冲电子束沉积技术, 在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85- Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜.通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率, 获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品.对样品R-T曲线进行分析, 得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律, 并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因.通过与脉冲激光沉积技术类比, 定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系.
脉冲电子束沉积、Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜、超导电性
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O4(物理学)
浙江省自然科学基金Z605131;中国科学院"百人计划";国家自然科学基金60571029;50672088;国家自然科学基金60321001
2007-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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