R(Fe,Si)12(R=Y,Nd)化合物的电子结构与磁性

摘要：

介绍了新近发展的基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波((L)APW)+局域轨道(lo)方法,并对R(Fe,Si)12化合物(R=Y,Nd)作了理论计算.由结构优化后的单胞总能量分析了Si原子的占位分布,计算得到并分析了Si原子
替代晶位不同引起的原子磁矩、总态密度和局域态密度的变化特点.结果表明RFe10Si2化合物(R=Y,Nd)饱和磁矩明显大于同类RFe10M2化合物(M=Ti,V,Cr,Mn,Mo和W),Si原子在化合物中存在两种杂化机制,Si(8j)原子会同时减小3种晶位Fe原子磁矩,Si(8f)则主要减小Fe(8i)与Fe(8j)原子磁矩.由Fermi面态密度变化分析认为加入Si原子会大大提高化合物居里温度.

关键词：(L)APW+lo方法、R(Fe、Si)12(R=Y、Nd)、磁距、态密度

所属期刊栏目：35

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国工程物理研究院科技基金20040863

在线出版日期：2005-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：513-520