10.3969/j.issn.1674-7275.2005.02.002
离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质
低温显微偏振光致发光谱的测量表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应,其光致发光呈现约63%的线性偏振度;对量子线样品的低温磁阻测量亦表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,准一维量子线表现出良好的一维输运特性.
V形槽GaAs/AlGaAs量子线、离子注入、光致发光、偏振、磁阻
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TP3;TN4
中国科学院资助项目10374018,10321003;上海市重点基础研究项目03DJ14001
2005-05-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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