10.3969/j.issn.1674-7275.2004.03.009
注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷
硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面.高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷.实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹,但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射,而且有些裂纹并未完全裂开,表现为非晶带.另外,高温退火还导致空腔的出现,空腔呈截角八面体形状,以{111}和{100}面为内表面,可以有非晶状的内壁.空腔平行于正表面成串状排布.空腔间有位错带与之相连.
硅、氢、高温退火、二次缺陷
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O4(物理学)
北京有色金属研究总院技术创新项目C-00-3-6601
2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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