注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷

摘要：

硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面.高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷.实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹,但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射,而且有些裂纹并未完全裂开,表现为非晶带.另外,高温退火还导致空腔的出现,空腔呈截角八面体形状,以{111}和{100}面为内表面,可以有非晶状的内壁.空腔平行于正表面成串状排布.空腔间有位错带与之相连.

关键词：硅、氢、高温退火、二次缺陷

所属期刊栏目：34

分类号：O4(物理学)

资助基金：北京有色金属研究总院技术创新项目C-00-3-6601

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：319-324