10.3969/j.issn.1674-7275.2004.02.001
脉冲激光诱发单粒子效应的机理
利用脉冲激光模拟单粒子效应是近年来兴起的一种新型的单粒子效应地面模拟手段,研究了皮秒脉冲激光与半导体器件相互作用的方式以及诱发单粒子效应的机理,并针对实验中常用的Nd:YAG和Ti:Sapphire两种激光和硅半导体器件进行了计算及比较分析,同时根据计算结果提出了模拟实验中脉冲激光参数选择的主要依据和典型的参数范围.
单粒子效应、脉冲激光、半导体、器件
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O4(物理学)
中国科学院科研项目0342201020304
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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