10.3969/j.issn.1674-7275.2003.06.010
高取向硼纳米线列阵
一维纳米材料(纳米线和纳米管)是能有效传输电子和各种激子的最小维数结构, 因此是构筑纳米电子和纳米机械器件的基本组元. 采用射频磁控溅射方法, 以Ar气为溅射气体, 纯硼粉和氧化硼粉为靶材, 合成了直径在20~80 nm的硼纳米线, 这些硼纳米线在基片上自组织成垂直生长的高取向列阵, 具有大面积、高密度而离散、均匀性好、平行排列、高定向生长的特点. 它的独特特点是具有平台式顶部形貌, 详细的结构和成分研究表明硼纳米线具有非晶结构. 在合成硼纳米线及其高取向列阵的过程中, 没有涉及到任何的模板和金属触媒. 相信硼纳米线--一维纳米材料系统中的新成员, 会具有很多新奇、有趣、有用的独特性能. 提出了一种汽-团簇-固(VCS)机制来解释硼纳米线的形成.
硼纳米线、磁控溅射、列阵、自组织
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O4(物理学)
国家自然科学基金50171077,10004014
2004-02-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共10页
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