有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的低温制备及特性
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10.3969/j.issn.1674-7275.2003.05.009

有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的低温制备及特性

引用
采用射频磁控溅射法在有机衬底PPA上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜, 并对薄膜的结构和光电性质进行了研究. 制备的薄膜为非晶结构, 薄膜与衬底有良好的附着性. 性能良好的有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的电阻率为1.3×10-2Ω·cm, 载流子浓度为4.4×1019 cm-3, Hall迁移率为12.4 cm2·V-1·s-1. 薄膜在可见光范围的平均透过率达到了82%.

有机衬底、Zn-Sn-O透明导电膜、射频磁控溅射

33

O4(物理学)

国家自然科学基金60276044;高等学校博士学科点专项科研项目20020422056

2004-02-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

448-453

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1672-1780

11-5001/N

33

2003,33(5)

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