基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征

摘要：

通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料. Raman光谱, X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构. 这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置, 且多数形成了GaMnN三元相. 超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性. 磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制.

关键词：半磁半导体、居里温度、超导量子干涉仪

所属期刊栏目：33

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10234040;中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：126-131