GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量

摘要：

提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法. 该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度, 此比值与GaN样品厚度在t <2 ?m为线性关系. 该方法消除了因GaN吸收造成的影响, 比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高, 更方便可靠.

关键词：GaN X射线双晶衍射、厚度

所属期刊栏目：33

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69825107;国家自然科学基金5001161953;国家科学基金N_HKU028/00

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：122-125