弛豫铁电单晶的顶部籽晶法生长

摘要：

相比较于传统的Pb(Zr1-xTix)O3 (PZT)多晶压电陶瓷,弛豫铁电单晶具有超高的机电耦合系数和压电系数.例如,典型的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZN-PT)和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PMN-PT)弛豫铁电单晶,其机电耦合系数k33＞0.9,压电系数d33＞2000 pC/N,使其有潜力应用于下一代压电器件,如传感器、声呐、执行器等.但是弛豫铁电单晶应用的关键在于单晶的制备问题.弛豫铁电单晶的制备技术包括高温溶液法(助溶剂法)、垂直坩埚下降法和顶部籽晶法.顶部籽晶法在制备弛豫铁电单晶时具有很多优势.因此,本文将阐述顶部籽晶法制备弛豫铁电单晶的最新进展.

关键词：压电性、弛豫铁电、单晶、单晶生长、顶部籽晶法

所属期刊栏目：47

分类号：O78;TF1

资助基金：国家自然科学基金11404331,91422303;中国科学院海西研究院“春苗”人才专项计划CMZX-2016-006

在线出版日期：2018-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：1126-1138