193 nm投影光刻物镜光机系统关键技术研究进展

摘要：

结合双/多曝光的193 nm投影光刻是未来5～10年大规模集成电路工业化生产的主要方法.投影物镜作为光刻机的核心分系统,其光机系统关键技术的研究进展直接影响物镜整体性能的提升.本文分析了当前集成电路装备制造业对193 nm投影物镜的需求,阐述了曝光系统设计、光学元件被动支撑、位姿调节、主动变形、元件更换和系统数值孔径调节等物镜光机系统关键技术研究现状,提炼了阻碍物镜未来发展的关键科学技术问题.目前,193 nm光刻物镜尚需进一步阐明高阶热像差的产生机理和校正策略,解决多自由度位姿标定问题,形成完备的物镜研制方法,指导高成像质量物镜的制造.

关键词：集成电路、光刻、投影物镜、波像差、调节机构、主动光学

所属期刊栏目：47

分类号：TH7;TN3

资助基金：国家自然科学基金61504142;国家科技重大专项基金2009ZX02205

在线出版日期：2017-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共17页

页码：565-581