不同退火气氛下钛掺杂氧化铪阻变存储器的性能研究

摘要：

采用磁控溅射和光刻技术制备了阻变层为钛掺杂氧化铪的阻变存储器件(RRAM),研究氮气和氧气中退火处理工艺对其阻变性能的影响规律.结果表明氮气退火工艺能显著提高ITO/HfTiO/Pt器件的阻变性能.与制备态相比,氮气退火后存储器的阻变窗口增大,阻变参数的分散性变好;而氧气退火后阻变性能变差.为探索不同退火气氛对RRAM性能的影响机制,我们结合电流-电压(I-V)拟合机制和光电子能谱(XPS)分析,可以推断出ITO/HfTiO/Pt器件的阻变性能来源于阻变层中的氧空位形成的导电细丝,氮气退火有利于导电细丝的形成和断裂,所以能够优化器件的阻变性能.

关键词：阻变存储器、退火、导电细丝、光电子能谱

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资助基金：国家自然科学基金批准号:61474039,11204070和湖北省自然科学基金重点项目批准号:2015CFA052资助

在线出版日期：2016-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1289-1296