Co原子浓度对Co-Mn-Si薄膜各向异性磁电阻及半金属性的影响

摘要：

向原子比为2∶1∶1的Co-Mn-Si合金薄膜中掺杂Co原子,试图发现Co-Mn-Si合金薄膜半金属性的变化规律.通过制备系列不同成分Co-Mn-Si合金薄膜,并测试薄膜的各向异性磁电阻比.结果发现制备的Co50MnSi薄膜具有良好的B2结构,杂质及缺陷数量少(剩余电阻比大),各向异性磁电阻比为负值,从而具有良好的半金属属性.随着Co原子浓度的增加,Co-Mn-Si薄膜B2结构取向度降低,剩余电阻比减小,各向异性磁电阻比增大,其半金属属性随Co原子浓度的增加被逐渐破坏.

关键词：半金属、哈斯勒合金、各向异性磁电阻

所属期刊栏目：45

资助基金：国家自然科学基金批准号:11274101和日本学术振兴会海外研究员项目编号:P09295资助

在线出版日期：2015-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：389-395