等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面的研究

摘要：

有机电致发光器件(OLED)具有自发光、低功耗、响应快、亮度高、可视角度大等特点,是下一代理想的显示技术及面光源.当前OLED广泛采用氧化铟锡(ITO)透明阳极兼出光窗口,然而,ITO表面功函数与器件内层有机材料最高电子占有轨道(HOMO)之间的势垒较高,器件工作电压高,导致能效偏低以及稳定性差等问题.射频等离子体处理ITO可获得一定幅度功函数提高(约0.4 eV),但仍未达到与有机材料最高电子占有轨道匹配程度,而且,处理效果时效性很短,只有数小时.而采用等离子体浸没式氧离子注入(PⅢ)技术修饰ITO表面,可精确控制氧离子注入剂量及深度,改变ITO表层氧、铟、锡3种元素原子比例.在不改变ITO薄膜主体透明性及导电性的基础上,表面功函数提高幅度达0.8 eV,与主要的OLED空穴输运有机材料的HOMO能级匹配,并且,处理效果经过50 h后未见明显衰退迹象.

关键词：等离子体浸没离子注入、表面改性、氧化铟锡、表面功函数

所属期刊栏目：43

资助基金：国家自然科学基金11005021,51177017

在线出版日期：2014-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：427-431