Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶的研究进展

摘要：

Ⅱ-Ⅴ族半导体是由第二副族元素(Zn,Cd)与第五主族元素(N,P,As等)形成的化合物.Ⅱ-Ⅴ半导体纳米晶(亦称量子点)具有禁带窄、Bohr半径大、电子有效质量小、通过改变量子点尺寸,能够实现宽波段发光,较Ⅱ-Ⅵ材料,其具有更多的共价键成分,性质稳定等优点,是应用于太阳能电池、生物标记及LED的理想材料.本文综述了近年来在Ⅱ-Ⅴ半导体纳米晶的研究中取得的进展,侧重介绍量子点的合成、表征、吸收光谱、光致发光谱及荧光寿命测定等领域内的最新成果,并对其发展方向进行了展望.

关键词：Ⅱ-Ⅴ族半导体、纳米晶、光谱学性质

所属期刊栏目：42

分类号：TB383.1(工程材料学)

资助基金：合肥工业大学“黄山学者”人才专项基金407-037008;合肥工业大学青年创新基金2011HGRJ0004

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：123-144