纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究
对100 kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1∶1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1∶1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.
电子束光刻、ZEP520电子抗蚀剂、反应离子刻蚀、纳米加工
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TN3(半导体技术)
国家重点基础研究发展规划973计划2007CB935301
2009-07-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
1047-1053