超薄Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究

摘要：

采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5 nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长0.8 μm,栅宽60μm,栅压为+3.0 V时最大饱和输出电流达到800 mA/mm,最大跨导达到150 ms/mm,与同样尺寸的AlGaN/GaN HEMT器件相比,栅泄漏电流比MES结构的HEMT降低两个数量级,开启电压保持在-5.0 V.C-V测量表明Al2O3能够与AlGaN形成高质量的Al2O3/AlGaN界面.

关键词：原子层淀积、超薄Al2O3、AlGaN/GaN、MOS-HEMT器件

所属期刊栏目：39

分类号：O6(化学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划51327020301;国家自然科学基金60736033

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：239-243