超临界流体状态下合成陶瓷先驱体聚碳硅烷
以二甲苯为超临界流体介质,以聚二甲基硅烷为原料,在高压釜中一定温度和压力下,合成了分子量分布较窄的陶瓷先驱体聚碳硅烷,对软化点,FT-IR,GPC,元素分析和合成收率等进行了表征,并与常压高温和高压合成方法相比较.合成聚碳硅烷的软化点为180～220℃,收率高达63.5 wt%,比其他两种方法提高了20 wt%,其Mn=1477,分子量分布系数为1.61,硅氢键含量较高,化学式为SiC1.91H7.270.05.表明超临界流体方法具有很好的传热均匀性和反应均匀性,且合成时间短,合成效率高,是合成高品质聚碳硅烷的一种新方法.
聚碳硅烷、先驱体、超临界流体、碳化硅
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TG1(金属学与热处理)
2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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