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10.3321/j.issn:1006-9275.2008.11.009

氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征

引用
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433 K,a-Si:H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级.a-Si:H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因.

氢化非晶硅、等离子体增强化学气相沉积、喇曼散射、椭偏测量法

38

O6(化学)

国家杰出青年科学基金60425101;总装备部预研基金06DZ02

2009-05-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1886-1890

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1006-9275

11-3757/N

38

2008,38(11)

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