InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计

摘要：

研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.

关键词：InP、DHBT、集电极、Kirk电流

所属期刊栏目：38

分类号：O6(化学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2002CB311902

在线出版日期：2009-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1521-1528