CdTe太阳电池组件的关键技术研究
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10.3969/j.issn.1674-7259.2007.07.004

CdTe太阳电池组件的关键技术研究

引用
采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜, 用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜. 为了获得优质的背接触, 对退火后的CdTe薄膜用湿化学法腐蚀一富Te层, 然后沉积背接触层. 结果表明:具有ZnTe/ZnTe: Cu 复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池. 最后, 采用激光刻蚀和机械刻蚀相结合, 制备了glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni太阳电池小组件, 其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03% (开路电压Voc = 718.1 mV, 短路电流Isc = 98.49 mA, 填充因子53.68%, 面积54 cm2) (由中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心测量).

CdTe、太阳电池组件、C-V特性曲线

37

TM91

国家高技术研究发展计划863计划2003AA513010;四川省科技攻关项目05GG021-003-3

2007-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

875-880

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中国科学E辑

1006-9275

11-3757/N

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2007,37(7)

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