β-Ga2O3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性

摘要：

利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数,得到10Dq/B=23.14,表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场.β-Ga2O3:Cr单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强,而绿光的发射减弱.采用420 nm波长激发,在691 nm可得到强而宽的特征发射,此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁.

关键词：β-Ga2O3、Cr浮区法、调谐激光晶体、光谱

所属期刊栏目：37

分类号：O6(化学)

资助基金：中国科学院"百人计划"50472032;国家自然科学基金50672105

在线出版日期：2007-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：370-374