10.3969/j.issn.1674-7259.2006.11.002
Sb2Te3纳米薄膜的ECALE法制备
研究了利用电化学原子层外延法(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)在Pt电极上生长Sb2Te3化合物半导体薄膜热电材料的过程.采用循环伏安扫描分别研究了Te和Sb在Pt衬底上以及在覆盖了一层元素之上的电沉积特性,在此基础上使用自动沉积系统交替电化学沉积了400个Te和Sb原子层.采用XRD,FESEM和FTIR等多种分析测试手段对沉积薄膜的结构、形貌、禁带宽等进行了表征.XRD结果表明,沉积物是Sb2Te3化合物,与EDX定量分析和电量计算结果吻合;FESEM对薄膜表面及断面形貌检测表明沉积颗粒排列紧密、大小均匀,平均粒径约为20 nm,薄膜均匀平坦,膜厚约190 nm;由于沉积薄膜的纳米结构,FTIR吸收谱出现蓝移,测得Sb2Te3薄膜禁带宽为0.42 eV.
Sb2Te3、电化学原子层外延(ECALE)、热电材料、纳米薄膜
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TG1(金属学与热处理)
国家基础研究重大项目前期研究项目2004CCA03200;国家自然科学基金50401008;华中科技大学校科研和教改项目
2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共10页
1273-1282
