10.3969/j.issn.1674-7259.2006.09.002
聚合物胶体晶模板技术制备三维有序铟锡氧化物大孔材料
以单分散性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球自组装形成的有序胶体晶体结构为模板,制备了铟锡氧化物(ITO)有序大孔材料.以扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及低温N2吸附/脱附等方法对ITO大孔材料的形态及其比表面积进行了表征.结果表明,烧结温度在500℃时,能够得到较为完善的三维ITO大孔材料,空间排布高度有序,其有序结构与模板中PMMA微球自组装方式完全相同.孔径大小均匀(~450 nm),较之PMMA微球有所收缩,BET比表面积为389 m2.g-1,孔容为0.36 cm3·g-1.此外,发现Sn掺杂率物质的量比为5%时,在真空中退火,ITO大孔材料的导电性能最好,电阻率为8.2×10-3 Ω·cm,初步讨论了ITO大孔材料的导电机制,认为氧缺位是获得较好电性能的主要原因.
模板技术、聚合物胶体晶体、铟锡氧化物、三维有序、大孔材料
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O6(化学)
2006-10-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共10页
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