SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展

摘要：

SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型2×2热光波导光开关, 在此基础上首次研制出4×4和8(8 SOI平面集成波导光开关矩阵.

关键词：SOI(绝缘衬底上的硅)、光波导、单模条件、MMI(多模干涉)、集成光开关矩阵

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分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000-03-66;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312060;国家自然科学基金69896260;国家自然科学基金60336010

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：1081-1093