磁场直拉硅单晶生长

摘要：

研究了磁场直拉硅单晶生长.采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15 T时,熔硅中杂质输运受扩散控制.熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流;硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善;控制Marangoni对流,可灵活控制硅单晶中的氧浓度.把磁场拉晶同硅单晶的等效微重力生长联系起来,推导出了引入磁感应强度和对应等效微重力等级的关系式:g=v0/Veff·g0,并针对坩埚的两种特征尺寸,进行了直拉硅单晶等效微重力等级的计算.

关键词：等效微重力、扩散控制、Marangoni对流

所属期刊栏目：34

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金59972007;国家攀登计划504;河北省自然科学基金599033

在线出版日期：2004-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：481-492