缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响

摘要：

利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.

关键词：GaN MOCVD、在位监测

所属期刊栏目：34

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69825107;国家自然科学基金5001161953;NSFC-RGC联合基金5001161953,N-HKU028/00

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：58-63