三维存储器功耗专利技术

摘要：

随着二维闪存存储器的发展,虽然半导体生产工艺取得了一定的进度,但是二维闪存面临芯片面积大而存储容量小的技术问题,且二维即平面闪存存储器的质量对掩膜工艺的要求特别高,因此想要再度提高集成的密度就显得特别困难,为了解决二维闪存面临的问题以及现在大众越来越追求更低的存储器的生产成本,这时功耗低、体积小、存储容量大的三维存储器应运而生,且在目前的半导体领域取得了越来越广泛的应用,随着技术的发展越来越成熟稳定,大众对三维存储器的要求逐渐提高,从体积小、容量大为出发点希望推出高集成度的三维存储模式,生产出适合普通大众使用的存储密度大且单位面积小的三维存储器产品.

机标关键词：三维存储器、存储器功耗、专利技术

分类号：TP393;O43;TN47

在线出版日期：2022-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：28-29