二维MoTe2的CVD法制备改进及表征

摘要：

引言
从石墨烯被发现开始,二维过渡金属硫化物一直没有离开过人们的视线.TMDs具有独特的结构,其中共价键原子的原子平面垂直堆叠,而平面之间只有弱的范德华相互作用.这些材料之所以引起人们广泛关注是因为它们的单层或几层可以分离成二维或准二维系统,与其体材料相比,它们表现出非常独特的性质.但是石墨烯的零能隙极大地阻碍了其在逻辑电子学中的应用,从而对提供有限带隙的类似替代物就产生非常现实的需求.在该族中,过渡金属硫化物(TMDCs)用通式MX2表示(M = 4-10族的过渡金属; X = S,Se或Te)对于光电子应用特别有吸引力,例如目前被广泛研究的MoS2和WS2材料,当他们由体材料变为单层二维材料时,其能带会由间接带隙变为直接带隙(MoS2 ,1.29 eV增加至1.90 eV)(WS2 ,1.3 eV 增加至2.0 eV),光致发光量子效率也会急剧增加(特别是由双层变为单层时),这使得它们在场效应晶体管,复合材料以及传感器方面有重要意义.

资助基金：基于石墨烯的光调制器关键技术的研究 项目61335006 国家自然科学基金 基于高质量石墨烯的叠层光伏器件的制备及其性能的研究 项目

在线出版日期：2018-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：96-98